尽管三星电子与SK海力士正投入数百亿美元扩张半导体制造，但全球内存短缺状况可能将持续至2030年。受DRAM和高带宽内存（HBM）需求激增驱动，两家韩系巨头计划在2026年联合斥资740亿欧元采购制造设备。然而，新增产能大多需至2028年或更晚才能释放，计算机制造商将面临长期的供应短缺及零部件价格攀升。
产能释放滞后，供应紧张常态化
半导体工厂建设周期长达数年，且先进内存制造设备日益昂贵。即便资金雄厚，企业也无法迅速建成生产线，尤其在设备供应商自身产能受限的背景下。三星虽推行激进扩张计划，争取额外洁净室空间并投资基础设施，但受建筑成本上升和设备交付延期的拖累，预计2028年前内存供应仍将保持紧张。
SK海力士的预测更为悲观，认为内存需求在2030年前将持续超过供给。目前，其2027年和2028年计划产能的一半以上已被长期协议锁定；客户谈判迹象显示，直至2029年，几乎所有的DRAM和HBM产能都将被预订完毕。
HBM挤占资源，PC厂商承压
HBM的兴起加剧了供应困境。制造HBM4需要更大的硅片、更多的加工步骤及复杂的封装技术，消耗了大量本可用于生产传统DRAM的资源。供应商倾向于优先满足利润丰厚的AI客户，导致台式机和笔记本电脑制造商在获取日益昂贵的DRAM时面临激烈竞争。随着企业级存储需求加速，NAND闪存供应也面临类似压力。
为保护巨额投资，制造商愈发倾向于通过长期协议锁定产能。据报道，三星已与十家主要客户签订合同，并与另外十家谈判；SK海力士则与14家客户达成协议。此类安排虽提供了可预测的收入，但也减少了公开市场上的流通芯片数量。
扩建进程与财务表现
两家企业均在扩大制造设施，包括三星位于美国德克萨斯州泰勒市的业务，以及SK海力士在龙仁和清州的开发项目。其中，SK海力士M17 NAND设施计划于2028年12月启用首个洁净室，龙仁Y2 DRAM工厂则瞄准2029年6月投产。
与此同时，短缺局面带来了非凡的财务回报。三星第三季度运营利润约为722亿欧元，SK海力士约为560亿欧元，AI基础设施支出推动了创纪录的盈利能力。在内存行业享受繁荣红利的同时，下游客户却面临着高昂的零部件成本。
此外，中国内存产业的发展可能使局势复杂化。长鑫存储正在增加传统DRAM产量，随着韩国新工厂陆续投产，可能引入额外竞争，但这些产能的具体时间和规模仍具不确定性。随着生产承诺延续至本世纪末，新工厂完工尚需数年，PC制造商在零部件可用性和定价方面仍面临持续不确定性，其影响范围已远超当前的AI投资热潮。
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